출처 : 동아사이언스
링크 : https://www.dongascience.com/ko/news/79328
요약 : 포스텍은 3D 낸드 채널 내부 실리콘 결정 성장 방향을 제어하는 기술을 개발했다고 밝혔다. 이때 낸드는 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 저장용 반도체이며, 3D 낸드는 많은 데이터를 저장하기 위해 정보를 저장하는 셀을 수백 층까지 수직으로 쌓은 구조를 띤다. 적층 수가 늘어날수록 실리콘 채널이 길어진다. 실리콘은 여러 개의 작은 결정이 모여 형성된다. 각 결정 사이 경계는 전류 흐름을 방해하는데, 채널이 길어질수록 결정 경계 늘어나 전기 저항이 커지고 데이터 일기 속도가 느려진다. 연구팀은 이 문제를 해결하기 위해 결정이 자라기 시작하는 출발점에 주목했다. 실리콘 기판 위 니켈 박막에 전자파 에너지를 가하는 마이크로웨이브 어닐링 기술(MWA)을 적용해 결정 성장을 유도하는 시드층을 만들었다. MWA는 특정 화학 결합에만 에너지를 선택적으로 전달해 낮은 기판 온도에서 반응을 촉진하는 열처리 기술이다. 연구팀은 니켈과 실리콘이 맞닿은 부분에 에너지를 집중시켜 낮은 온도에서도 균일한 결정이 형성되도록 설계했다. 연구팀이 개발한 시드층을 3D 낸드 채널 표면에 적용하자 결정이 시드층 방향을 따라 성장했다. 실리콘 결정을 성장시켜 결정 경계 수을 줄이면서 채널 전체에 균일하게 정렬된 결정을 형성하는 데 성공했다.
한 줄 요약 : 포스텍은 메모리 반도체의 성능 저하 문제를 해결하기 위해 실리콘 결정 성장 방향을 제어하는 기술을 개발했다.
